Achievements

2026

Journal Papers

  1. T. Shimura, T. Hosoi, and H. Watanabe, “Optical and electrical properties of nearly intrinsic GeSn wires on quartz fabricated by nucleation-controlled liquid-phase crystallization”, Mater. Sci. Semicond. Process 214, 110862-1-6 (2026). https://doi.org/10.1016/j.mssp.2026.110862
  2. T. Li, L. Zhan, Y. Hayakawa, T. Kobayashi, H. Watanabe, and T. Shimura, “Optical mode competition in tensile-strained Ge microdisks fabricated by laser-induced liquid-phase crystallization”, Jpn. J. Appl. Phys. 65(2), 02SP12-1-7 (2026). https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae34b9

International Conferences

  1. S. Harada, J. Sun, K. Tsujimori, K. Kajiwara, and T. Shimura, “Demonstration of Synchrotron X-ray Topography over an Entire 200-mm 4H-SiC Wafer”, the 23rd International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2026), We-P-75, September 27－October 2, 2026, Yokohama, Japan. link
  2. Y. Huang, R. Zhou, W. Xia, K. Kajiwara, T. Kameshima, T. Osaka, M. Yabashi, T. Shimura1, “Whole-Wafer Imaging of 6-inch 4H-SiC Wafers using Synchrotron X-ray Topography and Automated Defect Classification”, the 23rd International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2026), We-P-76, September 27－October 2, 2026, Yokohama, Japan. link
  3. J. Liang, Y. Huang, H. Hoshida, S. Fujiki, and T. Shimura, “Comparative Study of Crystal Defect Imaging in 4H-SiC Wafers Using Synchrotron X-ray Topography, Optical Inspection, and Multiphoton Photoluminescence”, the 23rd International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2026), Th-P-85, September 27－October 2, 2026, Yokohama, Japan. link
  4. K. Takayama, T. Hayashi, Y. Kozuka, M. Kashiwagi, T. Shimura, M. Deura, T. Katase, P. Pokryszka, K. Laszczyk, and T. Watanbe, “Performance Enhancement of Multistage Silicon Micro Thermoelectric Devices Using Nickel Silicide Interconnects”, 2026 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), H-1-02, September 14-17, 2026, DEJIMA MESSE, Nagaaki, Japan. link

Domestic Conferences

  1. W. Xia, R. Zhou, Y. Huang, and T. Shimura, “Automatic Detection of Threading Dislocations in Synchrotron X-ray Topography Images of 4H-SiC Using YOLOv8s and CBAM-Augmented Faster R-CNN”, The 87th JSAP Autumn Meeting 2026, 11a-A13-4, Sep.11 (Sapporo Campus, Hokkaido University & Online, September 8-11, 2026) link brog
  2. 原田 俊太、Sun Juhyeong、梶原 堅太郎、志村 考功、”放射光X線トポグラフィによる4H-SiC 200 mmウエハ全面の欠陥観察”、11a-A13-3、9月11日（北海道大学 札幌キャンパス＆ンライン、2026年9月8日-11日）link
  3. 高山 開智、林 竜也、小塚 裕介、柏木 誠、志村 考功、渡邉 孝信、”Mg2Si微小熱電発電デバイスの開発”、第87回応用物理学会秋季学術講演会、10p-E207-12、9月10日（北海道大学 札幌キャンパス＆ンライン、2026年9月8日-11日）link
  4. R. Zhou, W. Xia, Y. Huang, K. Kajiwara, T. Kameshima, T. Osaka, M. Yabashi, and T. Shimura, “Whole-Wafer Imaging of 6-inch 4H-SiC Wafers using Synchrotron X-ray Topography at SPring-8 BL16B2”, The 73rd JSAP SPring Meeting 2026, 15p-W8E-10, Mar. 15 (Ookayama Campus, Institute of Science Tokyo & Online, March 15-18, 2026). link brog
  5. 高山 開智、三浦 拓也、粟田 舞衣、林 竜也、奥田 耕太朗、小塚 裕介、柏木 誠、志村 考功、渡邉 孝信、”多段Si微小熱電デバイスへのニッケルシリサイドの導入”、第73回応用物理学会春季学術講演会、16a-W9_327-2、3月16日（東京科学大学 大岡山キャンパス＆オンライン、2026年3月15日-18日）link
  6. 奥田 耕太朗、粟田 舞衣、林 竜也、三浦 拓也、高山 開智、小塚 祐介、柏木 誠、志村 考功、渡邉 孝信、”Mg2Si微小熱電発電デバイスのためのプロセス技術の開発”、第73回応用物理学会春季学術講演会、16a-W9_327-3、3月16日（東京科学大学 大岡山キャンパス＆オンライン、2026年3月15日-18日）link

Books

  1.   志村 考功、「シリコンフォトニクスによる光デバイスの開発と異種材料集積化」(分担執筆)、第１章、第７節 「局所液相 成長によるGeSn細線の形成と受光・発光特性」 pp.71-80、2026.4 技術情報協会

2025

Journal Papers

  1. T. Shimura, N. Tsuji, K. Kajiwara and H. Watanabe, “Backscattering X-ray imaging using a caustic network aperture”, Jpn. J. Appl. Phys. 64, 126506-1-5 (2025). https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae2408

International Conferences

  1. T. Li, L. Zhan, Y. Hayakawa, T. Kobayashi, H. Watanabe, T. Shimura, “Fabrication and Optical Properties of Tensile-Strained Ge Microdisk Resonators via Laser-Induced Liquid-Phase Crystallization”, 2025 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), SO-PS-05-08, September 15-18, 2025, Yokohama, Japan. link
  2. K. Ishimaru, M. Hara, T. Kobayashi, T. Shimura, H. Watanabe, “Strain-Relaxed Growth of GeSn Thin Films via Nanochannel Sputter Epitaxy “, 248th ECS Meeting, Late H-3530, Oct.15 (Chicago, IL, US, Oct.12-16, 2025). link
  3. T. Shimura, T. Hosoi, T. Kobayashi, H. Watanabe, “Optical Characteristics of Single-crystal GeSn Thin Wires Fabricated by Local Liquid Phase Crystallization” (Invited) The 10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X), the International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM 2025), TuB1-1, Nov.11 (Kanagawa, Japan, Nov.10-13, 2025). link
  4. Y. Huang, R. Zhou, K. Kajiwara, T. Kameshima, T. Osaka, M. Yabashi, T. Shimura, “High-Resolution Synchrotron X-ray Topography of 4H-SiC Wafers Using a Wide-Field Detector and Automatic Defect Classification”, The 19th International Collaboration Symposium on Information, Production and Systems (ISIPS 2025), P13, November 27-28, Kitakyushu, Japan. link
  5. Tianping Li, Liji Zhan, Yuta Hayakawa, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe and Takayoshi Shimura “Optical Properties of Tensile-Strained Ge Microdisk Resonators Fabricated via Laser-Induced Liquid-Phase Crystallization”, The 19th International Collaboration Symposium on Information, Production and Systems (ISIPS 2025), C4, November 27-28, Kitakyushu, Japan. link

Domestic Conferences

  1. 志村 考功、梶原 堅太郎、亀島 敬、山口 聡、大坂 泰斗、矢橋 牧名, “ハイスループットX線トポグラフィ装置のSPring-8 BL16B2への導入”, 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 9p-N302-1, Sept. 9 (名城大学、天白キャンパス＆オンライン, September 7-10, 2025). link
  2. L. Zhan, T. Li, Y. Hayakawa, T. Kobayashi, H. Watanabe, T. Shimura, “Optical Resonant Modes in Tensile-Strained Ge Microdisks Fabricated via Laser-Induced Liquid-Phase Crystallization”, The 86th JSAP Autumn Meeting 2025, 9a-N206-3, Sept. 9 (Tempaku Campus, Meijo University & Online, Sptember 7-10, 2025). link
  3. Y. Huang, R. Zhou, K. Kajiwara, T. Kameshima, T. Osaka, M. Yabashi, T. Shimura, “High-Resolution Synchrotron X-ray Topography of 4H-SiC Wafers Using a Wide-Field Detector at SPring-8 BL16B2”, The 86th JSAP Autumn Meeting 2025, 10p-N322-12, Sept. 10 (Tempaku Campus, Meijo University & Online, Sptember 7-10, 2025). link
  4. 石丸 賢昇、原 征大、小林 拓真、志村 考功、渡部 平司, “極薄酸化膜ナノチャネルを用いたスパッタエピタキシーによるSi基板上GeSn薄膜の成長”,  第86回応用物理学会秋季学術講演会, 8p-N401-3, Sept. 8 (名城大学、天白キャンパス＆オンライン, September 7-10, 2025). link

2024

Journal Papers

  1. S. Iwamoto, T. Shimura, H. Watanabe, T. Kobayashi, “Oxygen-related defects in 4H-SiC from first principles”, Appl. Phys. Express 17 (5) 051008-1~5 (2024). https://doi.org/10.35848/1882-0786/ad45ae
  2. K. Onishi, T. Nakanuma, K. Tahara, K. Kutsuki, T. Shimura, H. Watanabe, T. Kobayashi, “Generation of single photon emitters at a SiO2/SiC interface by high-temperature oxidation and reoxidation at lower temperatures”, Appl. Phys. Express 17 (5) 051004-1~5 (2024). https://doi.org/10.35848/1882-0786/ad4449
  3. T. Kobayashi, A. Suzuki, T. Nakanuma, M. Sometani, M. Okamoto, A. Yoshigoe, T. Shimura, H. Watanabe, “Characterization of nitrided SiC(1-100) MOS structures by means of electrical measurements and X-ray photoelectron spectroscopy”, Mater. Sci. in Semicond. Process. 175, 108251-1~7 (2024). https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108251
  4. T. Kobayashi, K. Tomigahara, M. Nozaki, T. Shimura , and H. Watanabe, “Separate evaluation of interface and oxide hole traps in SiO2/GaN MOS structures with below- and above-gap light excitation”, Appl. Phys. Express 17 (1) 0011003-1～5 (2024).　https://doi.org/10.35848/1882-0786/ad120a

Domestic Conferences

  1. 石丸 賢昇, 田中 信敬,國吉 望月, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司, “ナノチャネルスパッタエピタキシーによる歪み緩和GeSn薄膜成長”, 2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19a-B5-5, Sept. 19 (朱鷺メッセ、新潟市＋オンライン, September 16-20, 2024) link
  2. 岩本 蒼典, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真, “第一原理計算に基づく4H-SiC中酸素関連欠陥の系統的調査”, 2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-52A-16, Mar.23, (東京都市大学 世田谷キャンパス＋オンライン, March 22-25, 2024) link
  3. 大西 健太郎, 中沼 貴澄, 田原 康佐, 朽木 克博, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真, “低温追酸化によるSiO2/SiC界面発光中心の密度制御と電気特性との相関”, 2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-52A-17, Mar.23, (東京都市大学 世田谷キャンパス＋オンライン, March 22-25, 2024) link
  4. 早川 雄大, 近藤 優聖, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司, “Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化における下地SiO2膜厚とレーザー走査速度の最適化”, 2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-22A-3, Mar.23, (東京都市大学 世田谷キャンパス＋オンライン, March 22-25, 2024) link
  5. 八軒 慶慈, 藤本 博貴, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 考功, 渡部 平司, “犠牲酸化プロセスによる SiC MOSFET の電気特性劣化”, 2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-52A-10, Mar.23, (東京都市大学 世田谷キャンパス＋オンライン, March 22-25, 2024) link
  6. 早川 雄大, 近藤 優聖, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司, “Si 基板上 GeSn 細線のレーザー溶融結晶化におけるレーザー走査条件と下地 SiO₂ 膜厚の最適化 “, 電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第29回研究会）, (東レ総合研修センター, 三島市, pp. 62 – 67, February 2, 2024)