Achievements

2024

Journal Papers

  1. S. Iwamoto, T. Shimura, H. Watanabe, T. Kobayashi, “Oxygen-related defects in 4H-SiC from first principles”, Applied Physics Express 17 (5) 051008-1~5 (2024). https://doi.org/10.35848/1882-0786/ad45ae
  2. K. Onishi, T. Nakanuma, K. Tahara, K. Kutsuki, T. Shimura, H. Watanabe, T. Kobayashi, “Generation of single photon emitters at a SiO2/SiC interface by high-temperature oxidation and reoxidation at lower temperatures”, Appl. Phys. Express 17 (5) 051004-1~5 (2024). https://doi.org/10.35848/1882-0786/ad4449
  3. T. Kobayashi, A. Suzuki, T. Nakanuma, M. Sometani, M. Okamoto, A. Yoshigoe, T. Shimura, H. Watanabe, “Characterization of nitrided SiC(1-100) MOS structures by means of electrical measurements and X-ray photoelectron spectroscopy”, Mater. Sci. in Semicond. Process. 175, 108251-1~7 (2024). https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108251
  4. T. Kobayashi, K. Tomigahara, M. Nozaki, T. Shimura , and H. Watanabe, “Separate evaluation of interface and oxide hole traps in SiO2/GaN MOS structures with below- and above-gap light excitation”, Appl. Phys. Express 17 (1) 0011003-1～5 (2024).　https://doi.org/10.35848/1882-0786/ad120a

Domestic Conferences

  1. 石丸 賢昇, 田中 信敬,國吉 望月, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司, “ナノチャネルスパッタエピタキシーによる歪み緩和GeSn薄膜成長”, 2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19a-B5-5, Sept. 19 (朱鷺メッセ、新潟市＋オンライン, September 16-20, 2024) link
  2. 岩本 蒼典, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真, “第一原理計算に基づく4H-SiC中酸素関連欠陥の系統的調査”, 2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-52A-16, Mar.23, (東京都市大学 世田谷キャンパス＋オンライン, March 22-25, 2024) link
  3. 大西 健太郎, 中沼 貴澄, 田原 康佐, 朽木 克博, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真, “低温追酸化によるSiO2/SiC界面発光中心の密度制御と電気特性との相関”, 2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-52A-17, Mar.23, (東京都市大学 世田谷キャンパス＋オンライン, March 22-25, 2024) link
  4. 早川 雄大, 近藤 優聖, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司, “Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化における下地SiO2膜厚とレーザー走査速度の最適化”, 2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-22A-3, Mar.23, (東京都市大学 世田谷キャンパス＋オンライン, March 22-25, 2024) link
  5. 八軒 慶慈, 藤本 博貴, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 考功, 渡部 平司, “犠牲酸化プロセスによる SiC MOSFET の電気特性劣化”, 2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-52A-10, Mar.23, (東京都市大学 世田谷キャンパス＋オンライン, March 22-25, 2024) link
  6. 早川 雄大, 近藤 優聖, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司, “Si 基板上 GeSn 細線のレーザー溶融結晶化におけるレーザー走査条件と下地 SiO₂ 膜厚の最適化 “, 電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第29回研究会）, (東レ総合研修センター, 三島市, pp. 62 – 67, February 2, 2024)